石英晶体振荡器的激励水平可根据晶体振荡器在不同工作条件下的功耗或电流水平来表示。若使用过高功率驱动晶体振荡器工作,可能导致频率不稳定等特性劣化,并存在损坏石英芯片的风险。使用前建议在电路设计时确保所用激励水平不超过绝对最大激励值。
负载电容(CL)是振荡电路中用于确定晶体振荡器频率的参数。负载电容可通过振荡电路中添加至晶体振荡器的电容值得知(参见图12)。由于振荡电路负载电容不同,晶体振荡器的频率将相应变化。为获得目标频率精度,晶体振荡器必须与负载电容匹配。使用时请根据对应晶体振荡器的负载电容值,将振荡电路的负载电容设置为匹配值。
SEIKO
- 模型
- 外部尺寸
[ mm ]
- 频率范围
[ MHz ]
- 频率公差
- 工作室温
- PDF
下载
-
SC-12S
-
1.2*1.0*0.15
-
32.768KHZ
-
+-20PPM
-
-40℃ -85℃
-

-
SC-16S
-
1.6*1.0*0.5
-
32.768KHZ
-
+-20PPM
-
-40℃ -85℃
-

-
SC-20S
-
2.0*1.2*0.35
-
32.768KHZ
-
+-20PPM
-
-40℃ -85℃
-

-
SC-32S
-
3.2*2.5*0.75
-
32.768KHZ
-
+-20PPM
-
-40℃ -85℃
-

-
SSP-T7
-
7.0*1.4*0.15
-
32.768KHZ
-
+-20PPM
-
-40℃ -85℃
-

-
VT-200T-FL
-
6.0*2.0*0.65
-
32.768KHZ
-
+-20PPM
-
-40℃ -85℃
-
